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种X波段低相噪跳频源的设计
2012/9/5  9:45:44

指标要求与方案分析
    具体指标如下:
    频率范围:9.87~10.47 GHz
    频率步进:30 MHz
    相位噪声:≤-93 dBc/Hz@1kHz
    杂散抑制:≤-60 dBc
    跳频时间:≤50μs
    根据所列指标,如果采用直接模拟式虽然相噪、杂散、跳频时间等指标得以保证,但由于所需设备量大,导致体积大、成本高。DDS+PLL合成方式包括DDS激励PLL的方式、DDS内插入PLL做分频器以及DDS与PLL混频的方式。DDS激励PLL做分频器的方式由于DDS最大输出频率不高,需要多次倍频从而恶化相噪,难以满足系统要求DDS与PLL环外混频的方式由于输出信号的带宽和杂散主要取决于DDS而难以满足系统要求,而DDS内插PLL作为分频器的方式得到的信号杂散较低,频率分辨率小且能做到较宽的频带,但是时钟频率较高的DDS价格昂贵。采用锁相环合成,杂散性能与相位噪声性能较好,可实现的工作频带宽,但频率切换速度较慢,跳频时间较长。由于系统并没有对频率切换速度提出过高要求,因此从价格方面考虑,我们采用锁相频率合成技术,基于低相噪锁相环芯片HMC704LP4设计该跳频源。

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